代理大功率60V P沟道场效应晶体管 GM2309 SOT-23
GM2309的极限值:
漏极-源极电压:-60V
栅极-源极电压:±20V
漏极电流-连续:-1.6A
漏极电流-脉冲:-6A
总耗散功率:1000mW
结温和存储温度范围:150,-55~+150℃
GM2309的电特性:
65V低压MOS管 120N06 TO-252
N沟道MOS管 4N80 TO-251
800VN沟道MOS管 4N80 TO-252
快充用N+NMOS管 10H03 SOT23-6
30VN+N沟道MOS管 6H03 SOT23-6