P沟道增强型功率MOSFET FIR15P055BPG TO-251 中低压功率MOS管
FIR15P055BPG的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | -55 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | |
| 漏极电流-连续 | ID | -15 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | -10 | ||
| 漏极电流-脉冲 | IDM | -50 | |
| 功耗 | PD | 50 | W |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 110 | mJ |
| 工作结温和存储温度范围 | TJ,TSTG | -55~150 | ℃ |
FIR15P055BPG的电特性：
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | -55 | V | ||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=-55V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=-250μA | -1.5 | -2.6 | -3.5 | V |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=-10V,ID=5A | 60 | 75 | mΩ | |
| 输入电容 | Ciss | VDS=-20V,VGS=0V,F=1.0MHz | 1450 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 145 | ||||
| 反向传输电容 | Crss | 110 | ||||
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=-30V,RL=30Ω VGS=-10V,RGEN=6Ω | 8 | nS | ||
| 开启上升时间 | tr | 9 | ||||
| 关断延迟时间 | td(off) | 65 | ||||
| 开启下降时间 | tf | 30 | ||||
| 栅源电荷密度 | Qgs | VDS=-30V,ID=-5A,VGS=10V | 4.5 | nC | ||
| 栅漏电和密度 | Qgd | 7 |
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