绝缘栅型场效应管 150V/12A中低压功率MOSFET FIR12N15LG TO-252
FIR12N15LG的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 150 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | V |
| 漏极电流-连续 | ID | 12 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 50 | A |
| 功耗 | PD | 55 | W |
| 工作结温和存储温度范围 | TJ,TSTG | -55~175 | ℃ |
FIR12N15LG的电特性：
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 150 | V | ||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=150V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VGS=0V | ±100 | nA | ||
| 栅极开启电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 1.5 | 2 | 2.5 | V |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=5A | 130 | 160 | mΩ | |
| 正向跨导 | gfs | VDS=15V,ID=10A | 15 | S | ||
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 900 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 115 | ||||
| 反向传输电容 | Crss | 70 | ||||
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=75V,ID=1A,RL=75Ω VGS=10V,RG=6Ω | 8 | nS | ||
| 开启上升时间 | tr | 10 | ||||
| 关断延迟时间 | td(off) | 20 | ||||
| 开启下降时间 | tf | 15 | ||||
| 栅源电荷密度 | Qgs | VDS=75V,ID=1.5A,VGS=10V | 5.5 | nC | ||
| 栅漏电和密度 | Qgd | 7 |
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