GM3422 SOT-23 60V NMOS绝缘栅晶体管 超小封装
GM3422的极限值：
| 特性参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | 55 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±12 | |
| 漏极电流-连续 | ID | 2.1 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 10 | |
| 总耗散功率 | PD | 1250 | mW |
| 结温 | Tj | 150 | ℃ |
| 存储温度 | Tstg | -55~+150 |
GM3422的电特性：
| 特性参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 55 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | 0.6 | 2 | ||
| 内附二极管正向压降 | VSD | 1 | |||
零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=44V | IDSS | 1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=44V,TA=55℃ | 5 | ||||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
静态漏源导通电阻 ID=2.1A,VGS=4.5V | RDS(ON) | 125 | 160 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 ID=1.5A,VGS=2.5V | 160 | 200 | |||
| 输入电容 | Ciss | 214 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 31 | |||
| 开启时间 | t(on) | 2 | ns | ||
| 关断时间 | t(off) | 16 |
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