插件N沟道增强型MOS管 500V/20A绝缘栅型场效应管 FIR20N50FG-M TO-220F
FIR20N50FG-M的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 | |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 500 | V | |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±30 | V | |
| 漏极电流-连续 | TC=25℃ | ID | 20.0 | A |
| TC=100℃ | 12.6 | |||
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 80.0 | ||
| 功耗 | PD | 72 | W | |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 1596 | mJ | |
| 工作温度范围 | TJ | -55~+150 | ℃ | |
| 存储温度范围 | Tstg | -55~+150 | ||
FIR20N50FG-M的电特性：
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 25℃,VGS=0V,ID=250μA | 500 | V | ||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | 25℃,VDS=500V,VGS=0V | 1.0 | μA | ||
| 125℃,VDS=400V,VGS=0V | 10 | |||||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±30V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
| 栅极开启电压 | VGS(TH) | VGS=VDS,ID=250μA | 2.0 | 4.0 | V | |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=10.0A | 0.20 | 0.27 | Ω | |
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz | 2687.7 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 355 | ||||
| 反向传输电容 | Crss | 10.3 | ||||
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=250V,ID=20.0A,RG=25Ω | 27.2 | ns | ||
| 开启上升时间 | tr | 47.5 | ||||
| 关断延迟时间 | td(off) | 78.7 | ||||
| 开启下降时间 | tf | 41.1 | ||||
| 栅源电荷密度 | Qgs | VDS=400V,ID=20.0A,VGS=10V | 14.28 | nC | ||
| 栅漏电和密度 | Qgd | 16.95 |
FIR20N50FG-M的封装外形尺寸：
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