FIR14N50FG TO-220F N沟道功率MOSFET 500V/13A高压MOS管
FIR14N50FG的引脚图：
FIR14N50FG的极限值：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| VDSS | 漏极-源极电压 | 500 | V | |
| ID | 漏极电流-连续 | Tc=25℃ | 13 | A |
| Tc=100℃ | 8.5 | |||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 50 | ||
| VGS | 栅极-源极电压 | ±30 | V | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 900 | mJ | |
| IAR | 雪崩电流 | 12.7 | A | |
| PD | 功耗 | 150 | W | |
| Tj | 最大工作结温 | 150 | ℃ | |
| Tstg | 存储温度 | -55~150 | ||
| TL | 最大焊接温度 | 300 | ||
FIR14N50FG的电特性：
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | ID=250μA,VGS=0V | 500 | V | ||
| IDSS | 零栅压漏极电流 | VDS=500V,VGS=0V,Ta=25℃ | 1 | μA | ||
| VDS=400V,VGS=0V,Tj=125℃ | 100 | |||||
| VGS(TH) | 栅极开启电压 | ID=250μA,VDS=VGS | 2 | 3 | 4 | V |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 | ID=6.5A,VGS=10V | 0.4 | 0.5 | Ω | |
| Ciss | 输入电容 | VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz | 2000 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 190 | ||||
| Crss | 反向传输电容 | 10 | ||||
| td(on) | 开启延迟时间 | ID=13A VDD=250V VGS=10V RG=6.1Ω | 20 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 50 | ||||
| td(off) | 关断延迟时间 | 70 | ||||
| tf | 开启下降时间 | 45 | ||||
| Qgs | 栅源电荷密度 | ID=13A VDD=400V VGS=10V | 15 | nC | ||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 45 |
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