FIR8N80FG-Y TO-220F 塑封插件MOSFET Y版N沟道功率场效应管
FIR8N80FG-Y的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 | |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 800 | V | |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±30 | V | |
| 漏极电流-连续 | TC=25℃ | ID | 7.0 | A |
| TC=100℃ | 4.4 | |||
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 28 | ||
| 功耗 | PD | 35 | W | |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 550 | mJ | |
| 工作温度范围 | TJ | -55~+150 | ℃ | |
| 存储温度范围 | Tstg | -55~+150 | ||
FIR8N80FG-Y的热阻：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 结到管壳的热阻 | RθJC | 3.57 | ℃/W |
| 结到环境的热阻 | RθJA | 120 |
FIR8N80FG-Y的电特性：
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 25℃,VGS=0V,ID=250μA | 800 | V | ||
| 125℃,VGS=0V,ID=250μA | 800 | |||||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | 25℃,VDS=800V,VGS=0V | 10 | uA | ||
| 125℃,VDS=800V,VGS=0V | 50 | |||||
| 150℃,VDS=800V,VGS=0V | 100 | |||||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±30V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
| 栅极开启电压 | VGS(TH) | VGS=VDS,ID=250μA | 2.5 | 4.5 | V | |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=3.5A | 1.55 | 1.9 | Ω | |
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz | 1500 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 122 | ||||
| 反向传输电容 | Crss | 16.7 | ||||
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=400V,RG=25Ω,ID=7.0A | 33.67 | ns | ||
| 开启上升时间 | tr | 71.67 | ||||
| 关断延迟时间 | td(off) | 63.33 | ||||
| 开启下降时间 | tf | 35.33 | ||||
| 栅源电荷密度 | Qgs | VDS=640V,ID=7.0A,VGS=10V | 6.98 | nC | ||
| 栅漏电和密度 | Qgd | 8.97 |
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