650VN沟道场效应管 FIR8N65FG-T TO-220F 高压功率MOS管
FIR8N65FG-T的极限值：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| VDSS | 漏极-源极电压 | 650 | V | |
| ID | 漏极电流-连续 | TC=25℃ | 7.0 | A |
| TC=100℃ | 3.2 | |||
| VGS [±V] | 栅极-源极电压 | ±30 | V | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 230 | mJ | |
| IAR | 雪崩电流 | 7.0 | A | |
| PD | 功耗(Tj=25℃) | 40 | W | |
| Tj | 工作温度范围 | 150 | ℃ | |
| Tstg | 存储温度范围 | -55~+150 | ||
| TL | 最大焊接温度 | 300 | ||
FIR8N65FG-T的电特性：
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | ID=250μA,VGS=0 | 650 | V | ||
| IDSS | 零栅压漏极电流 | VDS=650V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| VDS=520V,Tj=125℃ | 10 | |||||
| VGS(TH) | 栅极开启电压 | ID=250μA,VDS=VGS | 2 | 4 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 | ID=3.5A,VGS=10V | 1.30 | Ω | ||
| Ciss | 输入电容 | VDS=25V,VGS=0,f=1.0MHz | 955 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 100 | ||||
| Crss | 反向传输电容 | 12 | ||||
| td(on) | 开启延迟时间 | VDD=325V,ID=7A RG=25Ω | 20 | 50 | ns | |
| tr | 开启上升时间 | 50 | 100 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 90 | 190 | |||
| tf | 开启下降时间 | 55 | 120 | |||
| Qgs | 栅源电荷密度 | VDS=520V,VGS=10V,ID=7A | 4.5 | nC | ||
| Qgd | 栅漏电和密度 | 12 |
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