FIR7N65FG-Y TO-220F 塑封插件场效应管 Y版增强型功率MOSFET
FIR7N65FG-Y的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 | |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 650 | V | |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±30 | V | |
| 漏极电流-连续 | TC=25℃ | ID | 7.0 | A |
| TC=100℃ | 4.4 | |||
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 28 | ||
| 功耗 | PD | 35 | W | |
| 雪崩能量 | EAS | 350 | mJ | |
| 工作温度范围 | TJ | -55~+150 | ℃ | |
| 存储温度范围 | Tstg | -55~+150 | ||
FIR7N65FG-Y的热阻：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 3.57 | ℃/W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 120 |
FIR7N65FG-Y的电特性：
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 25℃,VGS=0V,ID=250μA | 650 | V | ||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | 25℃,VDS=650V,VGS=0V | 1 | uA | ||
| 125℃,VDS=520V,VGS=0V | 10 | |||||
| 150℃,VDS=520V,VGS=0V | 100 | |||||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±30V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
| 栅极开启电压 | VGS(TH) | VGS=VDS,ID=250μA | 2.0 | 4.0 | V | |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=2A | 1.25 | 1.5 | Ω | |
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz | 1130 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 93 | ||||
| 反向传输电容 | Crss | 5.5 | ||||
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=325V,ID=4.0A,RG=10Ω | 19 | ns | ||
| 开启上升时间 | tr | 21 | ||||
| 关断延迟时间 | td(off) | 42 | ||||
| 开启下降时间 | tf | 19 | ||||
| 栅源电荷密度 | Qgs | VDS=520V,ID=4.0A,VGS=10V | 5.1 | nC | ||
| 栅漏电和密度 | Qgd | 9.5 |
FIR7N65FG-Y的封装外形尺寸：
扫二维码进入手机网站