-3A/-40V P沟道场效应晶体管 GM4375 SOT-23 增强型MOS
GM4375的极限值：
漏极-源极电压：-40V
栅极-源极电压：±20V
漏极电流-连续：-3A
漏极电流-脉冲：-5A
GM4375的热特性：
功耗：100mW
热阻：150℃/W
结温和存储温度范围：150℃，-55~+150℃
GM4375的电特性：
| 特性参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | -40 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | -1 | -3 | ||
| 内附二极管正向压降 | VSD | -1 | |||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | -1 | uA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
静态漏源导通电阻 ID=-5A,VGS=-10V | RDS(ON) | 75 | 80 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 ID=-4A,VGS=-4.5V | 115 | 120 | |||
| 输入电容 | Ciss | 573 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 110 | |||
| 开启时间 | t(on) | 55 | ns | ||
| 关断时间 | t(off) | 120 |
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