I版高电压场效应管 FIR7N60BPG-I TO-251 N沟道功率MOSFET
FIR7N60BPG-I的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 | |
| 漏极-源极电压 | VDS | 600 | V | |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±30 | V | |
| 漏极电流-连续 | TC=25℃ | ID | 7.0 | A |
| TC=100℃ | 4.0 | |||
| 极电流-脉冲 | IDM | 28 | A | |
| 功耗 | PD | 45 | W | |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 489 | mJ | |
| 工作结温范围 | TJ | -55~+150 | ℃ | |
| 存储温度范围 | Tstg | -55~+150 | ||
FIR7N60BPG-I的热阻：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 结到管壳的热阻 | RθJC | 2.77 | ℃/W |
| 结到环境的热阻 | RθJA | 110 |
FIR7N60BPG-I的电特性：
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVSS | 600 | V | |||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | 25℃,VDS=600V,VGS=0V | 1 | uA | ||
| 125℃,VDS=600V,VGS=0V | 50 | |||||
| 150℃,VDS=600V,VGS=0V | 100 | |||||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±30V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | VGS=VDS,ID=250μA | 2.5 | 3.0 | V | |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=3.5A | 1 | 1.4 | Ω | |
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz | 885 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 104 | ||||
| 反向传输电容 | Crss | 3.8 | ||||
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=300V,ID=7.0A,RG=25Ω | 27.33 | ns | ||
| 开启上升时间 | tr | 58.40 | ||||
| 关断延迟时间 | td(off) | 42.13 | ||||
| 开启下降时间 | tf | 31.20 | ||||
| 栅源电荷密度 | Qgs | VDS=480V,ID=7.0A,VGS=10V | 5.08 | nC | ||
| 栅漏电和密度 | Qgd | 4.95 |
FIR7N60BPG-I的封装外形尺寸：
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