FIR5N60LG 高压N沟道场效应管 TO-252 T版福斯特MOSFET
高压功率MOS管FIR5N60LG的极限值：
（如无特殊说明，Ta=25℃）
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 600 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±30 | V |
漏极电流-连续 TJ=25℃ | ID | 4.5 | A |
漏极电流-连续 TJ=100℃ | 2.5 | ||
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 212 | mJ |
| 雪崩电流 | IAR | 4 | A |
| 功耗(TJ=25℃) | PD | 50 | W |
| 工作结温 | TJ | 150 | ℃ |
| 存储温度范围 | TSTG | -55~+150 |
高压功率MOS管FIR5N60LG的电特性：
（如无特殊说明，Ta=25℃）
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 600 | V | ||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=600V,VGS=0V | 10 | μA | ||
| VDS=480V,TJ=125℃ | 100 | |||||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±30V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
| 栅极开启电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 4 | V | |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=2A | 2.5 | Ω | ||
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 615 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 58.8 | ||||
| 反向传输电容 | Crss | 6.18 | ||||
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=300V,ID=4A,RG=25Ω | 13 | 35 | nS | |
| 开启上升时间 | tr | 45 | 100 | |||
| 关断延迟时间 | td(off) | 20 | 60 | |||
| 开启下降时间 | tf | 35 | 80 | |||
| 栅极总电荷 | Qg | VDD=480V,ID=4A,VGS=10V | 13.3 | nC | ||
| 栅源电荷密度 | Qgs | 3.4 | ||||
| 栅漏电和密度 | Qgd | 7.1 |
高压功率MOS管FIR5N60LG的封装外形尺寸：
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