福斯特场效应管型号 FIR4N70BPG-M TO-251 700VN沟道MOSFET
FIR4N70BPG-M的极限值：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDSS | 漏极-源极电压 | 700 | V |
| ID | 漏极电流-连续 | 4 | A |
| 漏极电流-连续 TC=100℃ | 2.5 | ||
| IDMa1 | 漏极电流-脉冲 | 28 | A |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±30 | V |
| EASa2 | 单脉冲雪崩能量 | 196 | mJ |
| PD | 功耗 | 75 | W |
| TJ,Tstg | 工作结温和存储温度范围 | 150，-55~+150 | ℃ |
| TL | 最大焊接温度 | 300 |
FIR4N70BPG-M的热阻：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.67 | ℃/W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 110 |
FIR4N70BPG-M的电特性：
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| VDSS | 漏极-源极击穿电压 | VGS=0V,ID=250μA | 700 | V | ||
| IDSS | 零栅压漏极电流 | VDS=700V,VGS=0V,Ta=25℃ | 1 | μA | ||
| VDS=560V,VGS=0V,Ta=125℃ | 100 | |||||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 | VGS=10V,ID=2A | 2.55 | 3.0 | mΩ | |
| VGS(TH) | 栅极开启电压 | VDS=VGS,ID=250μA | 2.0 | 4.0 | V | |
| gfs | 正向跨导 | VDS=15V,ID=2A | 3.7 | S | ||
| Ciss | 输入电容 | VGS=0V VDS=25V f=1.0MHz | 606 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 48 | ||||
| Crss | 反向传输电容 | 2.7 | ||||
| td(on) | 开启延迟时间 | ID=4A VDD=350V RG=10 | 14 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 15 | ||||
| td(off) | 关断延迟时间 | 30 | ||||
| tf | 开启下降时间 | 9 | ||||
| Qgs | 栅源电荷密度 | ID=4A VDD=560V VGS=10V | 3.0 | nC | ||
| Qgd | 栅漏电和密度 | 5.1 |
FIR4N70BPG-M的封装外形尺寸：
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