宇芯电子可控硅一站式解决方案提供商专注单向可控硅,双向可控硅,168彩票下载星空娱乐 ,高压可控硅,达林顿芯片等半导体器件的应用服务。
当前位置: 首页 » 产品中心 » app星空游戏 » MOS管 » 中低压MOS管 » 30VN沟道场效应管 GM2306S SOT-23

产品分类

Product Categories
30VN沟道场效应管 GM2306S SOT-23
30VN沟道场效应管 GM2306S SOT-23
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:GM2306S
产品封装:SOT-23
产品标题:30V N沟道MOS管 GM2306S SOT-23 场效应管晶体管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


30V N沟道MOS管 GM2306S SOT-23 场效应管晶体管



GM2306S的极限值:

特性参数符号数值单位
漏极-源极电压BVDSS30V
漏极-源极电压VGS±20
漏极电流-连续ID3.5A
漏极电流-脉冲IDM16
总耗散功率PD1250mW
结温Tj150
存储温度Tstg-55~+150




GM2306S的电特性:

特性参数符号最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSS30

V
栅极开启电压VGS(th)1
1.8
内附二极管正向压降VSD

1.2

零栅压漏极电流

VGS=0V,VDS=25V

IDSS


1uA

零栅压漏极电流

VGS=0V,VDS=25V,TA=55℃



10
栅极漏电流IGSS

±100nA

静态漏源导通电阻

ID=3.5A,VGS=10V

RDS(ON)

5357

静态漏源导通电阻

ID=2.8A,VGS=4.5V


8894
输入电容Ciss
555
pF
输出电容Coss
120
开启时间t(on)
9
ns
关断时间t(off)
17


产品推荐

Product recommendations
*本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*
技术支持:东莞网站建设
Baidu
map