30V N沟道场效应晶体管 NMOS 导通电阻小 GM2304D SOT-23
GM2304D的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | 30 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | |
| 漏极电流-连续 | ID | 2.5 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 10 | |
| 总耗散功率 | PD | 1250 | mW |
| 结温 | Tj | 150 | ℃ |
| 存储温度 | Tstg | -55~+150 |
GM2304D的电特性：
| 特性参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 30 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | 1.5 | 3 | ||
| 内附二极管正向压降 | VSD | 1.2 | |||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | 1 | uA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
静态漏源导通电阻 ID=2.5A,VGS=10V | RDS(ON) | 92 | 117 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 ID=2A,VGS=4.5V | 142 | 190 | |||
| 输入电容 | Ciss | 240 | PF | ||
| 输出电容 | Coss | 110 | |||
| 开启时间 | t(on) | 8 | ns | ||
| 关断时间 | t(off) | 17 |
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