GM2106 SOT-23 30V N沟道场效应管 4A MOS增强型
GM2106的极限值：
漏极-源极电压：30V
栅极-源极电压：±12V
漏极电流-连续：4A
漏极电流-脉冲：15A
总耗散功率：1250mW
结温：150℃
存储温度：-55~+150℃
GM2106的电特性：
| 特性参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 30 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | 0.6 | 2 | ||
| 内附二极管正向压降 | VSD | 1 | |||
零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=24V | IDSS | 1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=24V,TA=55℃ | 5 | ||||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
静态漏源导通电阻 ID=4A,VGS=10V | RDS(ON) | 45 | 55 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 ID=3A,VGS=4.5V | 55 | 70 | |||
静态漏源导通电阻 ID=2A,VGS=2.5V | 83 | 110 | |||
| 输入电容 | Ciss | 235 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 35 | |||
| 开启时间 | t(on) | 3.5 | ns | ||
| 关断时间 | t(off) | 17.5 |
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