原装福斯特功率MOS FIR2N60ALG-M TO-252 600V场效应管
FIR2N60ALG-M的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 | |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 600 | V | |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±30 | V | |
| 漏极电流-连续 | TC=25℃ | ID | 2.0 | A |
| TC=100℃ | 1.3 | |||
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 8 | A | |
| 功耗 | PD | 35 | W | |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 115 | mJ | |
| 工作温度范围 | TJ | -55~+150 | ℃ | |
| 存储温度范围 | Tstg | -55~+150 | ||
FIR2N60ALG-M的热阻：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 结到管壳的热阻 | RθJC | 3.57 | ℃/W |
| 结到环境的热阻 | RθJA | 110 |
FIR2N60ALG-M的电特性：
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 25℃,VGS=0V,ID=250μA | 600 | V | ||
| 125℃,VGS=0V,ID=250μA | 600 | |||||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | 25℃,VDS=600V,VGS=0V | 10 | uA | ||
| 125℃,VDS=600V,VGS=0V | 50 | |||||
| 150℃,VDS=600V,VGS=0V | 100 | |||||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±30V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | VGS=VDS,ID=250μA | 2.0 | 4.0 | V | |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=1.0A | 3.7 | 4.2 | Ω | |
| 正向跨导 | Gfs | VDS=10V,ID=1.0A | 1.3 | S | ||
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz | 301.7 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 13 | ||||
| 反向传输电容 | Crss | 1.1 | ||||
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=300V,ID=2.0A,RG=25Ω | 9.2 | nS | ||
| 开启上升时间 | tr | 23.4 | ||||
| 关断延迟时间 | td(off) | 15.3 | ||||
| 开启下降时间 | tf | 20.1 | ||||
| 栅源电荷密度 | Qgs | VDS=480V,ID=2.0A,VGS=10V | 1.57 | nC | ||
| 栅漏电和密度 | Qgd | 2.1 |
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