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高压功率MOS管 FIR1N60ABPG TO-251
高压功率MOS管 FIR1N60ABPG TO-251
产品品牌:美国福斯特
产品类型:高压功率MOS管
产品型号:FIR1N60ABPG
产品封装:TO-251
产品标题:FIR1N60ABPG TO-251 福斯特MOSFET 600V/1A高压功率MOS管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


FIR1N60ABPG TO-251 福斯特MOSFET 600V/1A高压功率MOS管



FIR1N60ABPG的极限值:

符号参数数值单位
VDSS漏极-源极电压
600V
ID
漏极电流-连续1.0A
漏极电流-连续 TC=100℃0.64
IDMa1漏极电流-脉冲2.8A
VGS栅极-源极电压
±30
V
EASa2单脉冲雪崩能量
60mJ
EARa1重复雪崩能量
6
IARa1雪崩电流3.4A
PD功耗30W
TJ,Tstg工作结温和存储温度范围
150,-55~+150
TL
最大焊接温度300




FIR1N60ABPG的电特性:

符号参数测试条件最小值典型值最大值单位
VDSS
漏极-源极击穿电压VGS=0V,ID=250μA600

V
IDSS
零栅压漏极电流VDS=600V,VGS=0V,Ta=25℃

25μA
VDS=480V,VGS=0V,Ta=125℃

250
RDS(ON)
静态漏源导通电阻
VGS=10V,ID=0.5A

810Ω
VGS(TH)栅极开启电压
VDS=VGS,ID=250μA
2.03.04.0V
gfs
正向跨导VDS=20V,ID=0.5A
0.70
S
Ciss输入电容VGS=0V VDS=25V f=1.0MHz
92
pF
Coss输出电容
16
Crss反向传输电容

2.7
td(ON)开启延迟时间
ID=1.0A VDD=300V VGS=10V RG=25Ω

21
ns
tr开启上升时间
26
td(OFF)关断延迟时间
11
tf开启下降时间
27
Qgs栅源电荷密度
ID=1.0A VDD=480V VGS=10V

1
nC
Qgd栅漏电和密度
2.7




FIR1N60ABPG的热阻:

符号
参数数值单位
RθJC结到管壳的热阻4.17℃/W
RθJA结到环境的热阻110



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