增强型MOSFET GM2301E SOT-23 P沟道场效应晶体管
GM2301E的极限值：
| 特性参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | -20 | V |
| 漏极-源极电压 | VGS | ±10 | |
| 漏极电流-连续 | ID | -2.8 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | -10 | |
| 总耗散功率 | PD | 900 | mW |
| 结温 | Tj | 150 | ℃ |
| 存储温度 | Tstg | -55~+150 |
GM2301E的电特性：
| 特性参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | -20 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | -0.5 | -1.5 | ||
| 内附二极管正向压降 | VSD | -1.5 | |||
零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=-16V | IDSS | -1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=-16V,TA=55℃ | -10 | ||||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
静态漏源导通电阻 ID=-2.8A,VGS=-4.5V | RDS(ON) | 100 | mΩ | ||
静态漏源导通电阻 ID=-2A,VGS=-2.5V | 120 | ||||
| 输入电容 | Ciss | 600 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 120 | |||
| 开启时间 | t(on) | 8 | ns | ||
| 关断时间 | t(off) | 60 |
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