GM2015 SOT-23 -20V P沟道场效应晶体管 电容话筒专用
GM2015的极限值:
漏极-源极电压:-20V
栅极-源极电压:±8V
漏极电流-连续:-2.4A
漏极电流-脉冲:-10A
总耗散功率:900mW
结温:150℃
存储温度:-55~+150℃
GM2015的电特性:
400VNMOS管 12N40 TO-252
贴片MOS管 80N25 TO-263
中低压NMOS管80N25 TO-220
50N20 TO-263 200V国产MOS管
50N20 TO-220 200VN沟道MOS管