宇芯电子可控硅一站式解决方案提供商专注单向可控硅,双向可控硅,168彩票下载星空娱乐 ,高压可控硅,达林顿芯片等半导体器件的应用服务。
当前位置: 首页 » 产品中心 » app星空游戏 » MOS管 » 中低压MOS管 » 20VN沟道场效应管 GMS2302AL SOT-23

产品分类

Product Categories
20VN沟道场效应管 GMS2302AL SOT-23
20VN沟道场效应管 GMS2302AL SOT-23
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:GMS2302AL
产品封装:SOT-23
产品标题:GMS2302AL SOT-23 20V NMOS 绝缘栅场效应晶体管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


GMS2302AL SOT-23 20V NMOS 绝缘栅场效应晶体管



GMS2302AL的极限值:

特性参数符号数值单位
漏极-源极电压
BVDSS20V
栅极-源极电压VGS±8
漏极电流-连续ID2.6A
漏极电流-脉冲IDM10
总耗散功率PD900mW
结温Tj150
存储温度Tstg-55~+150





GMS2302AL的电特性:

特性参数符号最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSS20

V
栅极开启电压VGS(th)0.4
1.5

漏极-源极导通电压

ID=50mA,VGS=5V

VDS(ON)


0.375

漏极-源极导通电压

ID=500mA,VGS=10V



3.75
内附二极管正向压降VSD

1.2

零栅压漏极电流

VDS=0V,VGS=16V

IDSS


1uA

零栅压漏极电流

VDS=0V,VGS=16V,TA=55℃



10
栅极漏电流IGSS

±100nA

静态漏源导通电阻

ID=2.6A,VGS=4.5V

RDS(ON)


85

静态漏源导通电阻

ID=2A,VGS=2.5V



120
输入电容Ciss

880pF
输出电容Coss

270
开启时间t(on)

20ns
关断时间t(off)

65



产品推荐

Product recommendations
*本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*
技术支持:东莞网站建设
Baidu
map