N沟道增强型 MOS 场效应管 20V 3.2A GMN2023 SOT-23
GMN2023的极限值：
漏极-源极电压：20V
栅极-源极电压：±8V
漏极电流-连续：3.2A
漏极电流-脉冲：10A
总耗散功率：1000mW
结温：150℃
存储温度：-55~+150℃
GMN2023的电特性：
| 特性参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 20 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | 0.45 | 0.6 | 1 | |
| 内附二极管正向压降 | VSD | 1.5 | |||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | 1 | uA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
静态漏源导通电阻 ID=3.2A,VGS=4.5V | RDS(ON) | 38 | 47 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 ID=3.1A,VGS=2.5V | 44 | 55 | |||
静态漏源导通电阻 ID=1.5A,VGS=1.8V | 52 | 66 | |||
| 输入电容 | Ciss | 500 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 62 | |||
| 开启时间 | t(on) | 5 | ns | ||
| 关断时间 | t(off) | 30 |
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