20V N沟道增强型 MOS 带静电保护 GM3416 SOT-23
GM3416的极限值：
漏极-源极电压：20V
栅极-源极电压：±8V
漏极电流-连续：6.5A
漏极电流-脉冲：30A
总耗散功率：1400mW
结温：150℃
存储温度：-55~+150℃
GM3416的电特性：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 20 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | 0.4 | 1 | ||
| 内附二极管正向压降 | VSD | 1 | |||
| 零栅压漏极电流(VGS=0V,VDS=16V) | IDSS | 1 | uA | ||
| 零栅压漏极电流(VGS=0V,VDS=16V,TA=55℃) | 5 | ||||
| 栅极漏电流(VGS=±4.5V,VDS=0V) | IGSS | ±1 | uA | ||
| 栅极漏电流(VGS=±8V,VDS=0V) | ±10 | ||||
| 静态漏源导通电阻(ID=6.5A,VGS=4.5V) | RDS(ON) | 22 | mΩ | ||
| 静态漏源导通电阻(ID=5.5A,VGS=2.5V) | 26 | ||||
| 静态漏源导通电阻(ID=5A,VGS=1.8V) | 34 | ||||
| 输入电容 | Ciss | 1160 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 180 | |||
| 开启时间 | t(on) | 8 | ns | ||
| 关断时间 | t(off) | 60 |
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