GM3414 SOT-23 半导体场效应管MOS-FET N沟道MOS管
GM3414的极限值:
漏极-源极电压:20V
栅极-源极电压:±8V
漏极电流-连续:4.2A
漏极电流-脉冲:16A
总耗散功率:1200mW
结温:150℃
存储温度:-55~+150℃
GM3414的电特性:
中低压NMOS管80N25 TO-220
50N20 TO-263 200V国产MOS管
50N20 TO-220 200VN沟道MOS管
塑封NMOS管 50N20 TO-220F
贴片式N沟道MOSFET 140N15 TO-263