GM2310 SOT-23 N沟道增强型 MOS FETs 20V场效应晶体管
GM2310的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | 20 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±8 | |
| 漏极电流-连续 | ID | 5 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 18 | |
| 功耗 | PD | 1250 | mW |
| 结温 | TJ | 150 | ℃ |
| 存储温度 | Tstg | -55~+150 |
GM2310的电特性：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 20 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | 0.45 | 1.2 | ||
| 内附二极管正向压降 | VSD | 1.5 | |||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | 1 | uA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
| 静态漏源导通电阻(ID=5A,VGS=4.5V) | RDS(ON) | 22 | 24 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻(ID=2A,VGS=2.5V) | 28 | 30 | |||
| 静态漏源导通电阻(ID=1A,VGS=1.8V) | 38 | 45 | |||
| 输入电容 | Ciss | 600 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 120 | |||
| 开启时间 | t(on) | 8 | ns | ||
| 关断时间 | t(off) | 60 |
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