GM2100 SOT-23 20V N沟道场效应管 贴片式MOS管

GM2100的极限值：

• 漏极-源极电压：20V

• 栅极-源极电压：±10V

• 漏极电流-连续：10A

• 漏极电流-脉冲：20A

• 总耗散功率：1400mW

• 结温：150℃

• 焊接温度/焊接时间：260/10℃/S

• 存储温度：-55~+150℃

GM2100的电特性：

• 漏极-源极击穿电压：20V

• 栅极开启电压：1V(Max)

• 内附二极管正向压降：1.5V

• 零栅压漏极电流：1uA

• 栅极漏电流：±100nA

• 静态漏源导通电阻(I_D=6A,V_GS=4.5V)：12mΩ(Max)

• 静态漏源导通电阻(I_D=4.5A,V_GS=2.5V)：16mΩ(Max)

• 输入电容：600pF

• 输出电容：120pF

• 开启时间：8ns

• 关断时间：60ns
  

GM2100的封装外形尺寸：