20V N沟道MOS 场效应管 GM2016 SOT-23 N沟道增强型
GM2016的极限值:
漏极-源极电压:20V
栅极-源极电压:±8V
漏极电流-连续:3.2A
漏极电流-脉冲:10A
总耗散功率:800mW
结温:150℃
存储温度:-55~+150℃
GM2016的电特性:
400VNMOS管 12N40 TO-252
贴片MOS管 80N25 TO-263
中低压NMOS管80N25 TO-220
50N20 TO-263 200V国产MOS管
50N20 TO-220 200VN沟道MOS管