FIR2N65ABPG TO-251 N沟道功率MOSFET 650V/2A场效应管
N沟道功率MOSFET FIR2N65ABPG的引脚图：
N沟道功率MOSFET FIR2N65ABPG的极限值：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 650 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±30 | |
| ID | 漏极电流-连续 | 2 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 8 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 84 | mJ |
| IAR | 雪崩电流 | 3.6 | A |
| EAR | 重复雪崩能量 | 6.4 | mJ |
| PD | 总耗散功率 | 54 | W |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
N沟道功率MOSFET FIR2N65ABPG的电特性：
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 650 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=1A | 4.2 | 5 | Ω | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 3 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 8.5 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 4 | |||
| Ciss | 输入电容 | 280 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 30 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 3.8 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 7.8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 5.5 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 33 | |||
| tf | 开启下降时间 | 16 |
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