国产中低压MOS管 40P15 TO-252 贴片MOSFET P沟道MOS管替换 40P15
国产中低压MOS管 40P15的主要参数：
电压 VDS：-150V
电流 ID：-40A
内阻 RDS(ON)＜107mΩ@VGS=10V(Type：87mΩ)
国产中低压MOS管 40P15的应用领域：
无刷马达
负载开关
不间断电源
国产中低压MOS管 40P15的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -150 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TA=25℃ | -40 | A |
漏极电流-连续 TA=70℃ | -27.2 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -120 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 402 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 48 | A |
| PD | 总耗散功率 TA=25℃ | 65.8 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.5 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
国产中低压MOS管 40P15的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -150 | -175 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-3A | 87 | 107 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-2.7A | 99 | 137 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1.2 | -2 | -3 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Ciss | 输入电容 | 1535 | 2045 | pF | |
| Coss | 输出电容 | 125 | 170 | ||
| Crss | 反向传输电容 | 6 | 10 | ||
| td(on) | 开启延迟时间 | 12 | 23 | ns | |
| tr | 开启上升时间 | 3.3 | 10 | ||
| td(off) | 关断延迟时间 | 22 | 36 | ||
| tf | 开启下降时间 | 9.6 | 20 |
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