150P04 TO-252 低压40VPMOS管 电源用MOS管 PMOS管150P04
低压40VPMOS管 150P04的主要参数：
电压 VDS：-40V
电流 ID：-150A
内阻 RDS(ON)＜3.8mΩ@VGS=-10V(Type：3.1mΩ)
低压40VPMOS管 150P04的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -40 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | -150 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | -110 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -540 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 1020 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | -80 | A |
| PD | 总耗散功率(TC=25℃) | 350 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 0.9 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
低压40VPMOS管 150P04的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -40 | -44 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-20A | 3.1 | 3.8 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-11A | 4.2 | 5.5 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1.2 | -1.8 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 236 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 26 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 44 | |||
| Ciss | 输入电容 | 13276 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 1900 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 1470 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 32 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 34 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 136 | |||
| tf | 开启下降时间 | 40 |
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