中低压NMOS管80N25 TO-220 插件MOSFET 250V/80A 国产MOS场效应管
中低压NMOS管80N25的主要参数：
电压 VDS：250V
电流 ID：80A
内阻 RDS(ON)：20mΩ@VGS=10V(Type：18mΩ)
中低压NMOS管80N25的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 250 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 | 80 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 330 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 2000 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 45 | A |
| PD | 总耗散功率 | 278 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 40 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 0.5 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
中低压NMOS管80N25的电特性：
(如无特殊说明，Tc=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 250 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A | 18 | 20 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 3.5 | 4.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 136 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 52 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 25 | |||
| Ciss | 输入电容 | 10602 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 8.1 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 270 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 54.5 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 24.2 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 73.6 | |||
| tf | 开启下降时间 | 15.6 |
扫二维码进入手机网站