30VN+N沟道MOS管 6H03 SOT23-6 双N沟道MOSFET 30V低压场效应管
30VN+N沟道MOS管 6H03的主要参数：
VDS=30V
ID=6.2A
RDS(ON)＜35mΩ@VGS=10V(Type：27mΩ)
RDS(ON)＜38mΩ@VGS=4.5V(Type：29mΩ)
30VN+N沟道MOS管 6H03的应用领域：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
30VN+N沟道MOS管 6H03的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±12 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TA=25℃) | 6.2 | A |
| 漏极电流-连续 (TA=70℃) | 3.1 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 16 | |
| PD | 总耗散功率 (TA=25℃) | 1 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 125 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 80 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
30VN+N沟道MOS管 6H03的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | 33 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=4A | 27 | 35 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=3A | 29 | 38 | |||
| 静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=3A | 36 | 54 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.5 | 0.85 | 1.3 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 9.1 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.1 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 2.8 | |||
| Ciss | 输入电容 | 507 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 52 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 43 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 3 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 2.8 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 25 | |||
| tf | 开启下降时间 | 4 |
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