电池保护用MOS管 20P04 SOP-8 PMOS管 低压国产P沟道MOSFET

电池保护用MOS管 20P04的主要参数：

• V_DS=-40V

• I_D=-20A

• R_DS(ON)＜9mΩ@V_GS=-10V(Type：7.5mΩ)
  

电池保护用MOS管 20P04的极限值：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：-40V

• 栅极-源极电压 V_GS：±20V

• 漏极电流-连续 I_D：-20A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：-72A

• 单脉冲雪崩能量 E_AS：125mJ

• 雪崩电流 I_AS：50A

• 总耗散功率 P_D：35W

• 存储温度 T_STG：-55~150℃

• 工作结温 T_J：-55~150℃

• 结到环境的热阻 R_θJA：85℃/W

• 结到管壳的热阻 R_θJC：3.5℃/W

电池保护用MOS管 20P04的电特性：

(如无特殊说明，T_J=25℃)