低内阻MOS场效应管 100N20 TO-220 插件MOSFET 200VMOS管
低内阻MOS场效应管 100N20的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：200V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID (TC=25℃)：100A
漏极电流-脉冲 IDM：550A
单脉冲雪崩能量 EAS：2000mJ
雪崩电流 IAS：45A
总耗散功率 PD (TC=25℃)：278W
结到环境的热阻 RθJA：0.45℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：62.5℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
低内阻MOS场效应管 100N20的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 200 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A | 9 | 11 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 3.5 | 4.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 145 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 49 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 72 | |||
| Ciss | 输入电容 | 10656 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 389 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 16 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 22 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 115 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 44 | |||
| tf | 开启下降时间 | 105 |
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