20VN+N沟道MOS管 8814 TSSOP8 贴片双NMOSFET 低压场效应管8814
20VN+N沟道MOS管 8814的主要参数：
VDS=20V
ID=8.5A
RDS(ON)＜17mΩ@VGS=4.5V(Type：14mΩ)
20VN+N沟道MOS管 8814的应用领域：
电池保护
负载开关
20VN+N沟道MOS管 8814的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 20 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±12 | |
| ID | 漏极电流-连续 TA=25℃ | 8.5 | A |
漏极电流-连续 TA=70℃ | 6 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 30 | |
| PD | 总耗散功率 TA=25℃ | 1.5 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 83 | ℃/W |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
20VN+N沟道MOS管 8814的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 20 | 22 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=4A | 14 | 18 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=3A | 17 | 20 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.5 | 0.65 | 1 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 11 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.2 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 2.9 | |||
| Ciss | 输入电容 | 780 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 140 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 80 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 9 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 30 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 35 | |||
| tf | 开启下降时间 | 10 |
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