低压NMOS管 80N08 TO-263 贴片常用MOS管 80V/80A 大电流MOSFET
低压NMOS管 80N08的主要参数：
VDS=80V
ID=80A
RDS(ON)＜9mΩ@VGS=10V(Type：7.5mΩ)
N沟道MOS管 80N08的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：80V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：80A
漏极电流-脉冲 IDM：240A
单脉冲雪崩能量 EAS：361mJ
总耗散功率 PD：130W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA：62.5℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：1℃/W
电源用NMOS管 80N08的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 80 | 88 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=40A | 7.5 | 9 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 3 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 97 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 18.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 38 | |||
| Ciss | 输入电容 | 4162 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 247 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 183 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 27 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 20 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 58 | |||
| tf | 开启下降时间 | 24 |
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