中低压PMOS管 30P15 TO-252 贴片功率MOS 150V国产场效应管
中低压PMOS管 30P15的主要参数：
电压 VDS=-150V
电流 ID=-30A
内阻 RDS(ON)＜180mΩ@VGS=10V(Type：130mΩ)
中低压PMOS管 30P15的应用领域：
无刷马达
负载开关
UPS 不间断电源
中低压PMOS管 30P15的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -150 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TA=25℃ | -30 | A |
漏极电流-连续 TA=70℃ | -17.2 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -90 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 250 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 20 | A |
| PD | 总耗散功率 TA=25℃ | 104 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.9 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
中低压PMOS管 30P15的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -150 | -175 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-10A | 130 | 175 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -2 | -3 | -4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | 100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 8 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 14.6 | 22 | nC | |
| Qgs | 栅源电荷密度 | 4.8 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 4.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 719 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 148 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 7 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 10 | 20 | ns | |
| tr | 开启上升时间 | 6 | 12 | ||
| td(off) | 关断延迟时间 | 18 | 36 | ||
| tf | 开启下降时间 | 6 | 12 |
扫二维码进入手机网站