40G04 PDFN5X6-8L N+PMOS管 中低压MOS管 40G04 贴片场效应管
N+PMOS管 40G04的主要参数：
N-CH：
VDS：40V
ID：42A
RDS(ON)＜10mΩ@VGS=10V(Type：7mΩ)
P-CH：
VDS：-40V
ID：38A
RDS(ON)＜13mΩ@VGS=-10V(Type：10mΩ)
N+PMOS管 40G04的产品应用：
无线充电
无刷马达
N+PMOS管 40G04的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏极-源极电压 | 40 | -40 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | 42 | -38 | A |
| 漏极电流-连续 TC=100℃ | 32.5 | -27.5 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 123 | -115 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 289 | 378 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 42 | 50 | A |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 46 | 41.3 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 25 | ℃/W | |
| RθJC | 结到管壳热阻 | 2.3 | ||
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | -55~150 | |
扫二维码进入手机网站