-60VPMOS管30P06 TO-251低压MOS管 低内阻MOSFET管30P06
-60VPMOS管30P06的主要参数:
VDS=-60V
ID=-30A
RDS(ON)<25mΩ@VGS=-10V(Type:20mΩ)
-60VPMOS管30P06的应用领域:
锂电池保护
手机快充
-60VPMOS管30P06的极限值:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDS | 漏极-源极电压 | -60 | V |
VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | -30 | A |
漏极电流-连续(TC=100℃) | -27 | ||
IDM | 漏极电流-脉冲 | -85 | |
EAS | 单脉冲雪崩能量 | 113 | mJ |
IAS | 雪崩电流 | 47.6 | A |
PD | 总耗散功率(TC=25℃) | 52.1 | W |
RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | ℃/W |
RθJC | 结到管壳的热阻 | 2.4 | |
TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作结温 | -55~150 |
-60VPMOS管30P06的电特性:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -60 | -68 | V | |
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-10A | 20 | 25 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-8A | 26 | 33 | |||
VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
Qg | 栅极电荷 | 25 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 6.7 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 5.5 | |||
Ciss | 输入电容 | 3635 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 224 | |||
Crss | 反向传输电容 | 141 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 38 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 23.6 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 100 | |||
tf | 开启下降时间 | 6.8 |