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贴片P沟道MOS管5P06 SOT23-3L
贴片P沟道MOS管5P06 SOT23-3L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:5P06
产品封装:SOT23-3L
产品标题:贴片P沟道MOS管5P06 SOT23-3L电源应用MOSFET 5P06低压MOS管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


贴片P沟道MOS管5P06 SOT23-3L电源应用MOSFET 5P06低压MOS管



贴片P沟道MOS管5P06的主要参数:

  • VDS=-60V

  • ID=-5A

  • RDS(ON)<110mΩ@VGS=10V(Type:86mΩ)



贴片P沟道MOS管5P06的应用领域:

  • 无刷马达

  • 负载开关

  • 不间断电源 UPS



贴片P沟道MOS管5P06的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压-60V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TC=25℃)-5A
漏极电流-连续(TC=100℃)-3.3
IDM漏极电流-脉冲-20
EAS单脉冲雪崩能量24.2mJ
PD总耗散功率(TC=25℃)30.8W
RθJA
结到环境的热阻125℃/W
RθJC结到管壳的热阻40.5
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150



贴片P沟道MOS管5P06的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-60

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-10A


86110
静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-5A


90125
VGS(th)
栅极开启电压-1-1.6-2.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
17
nC
Qgs栅源电荷密度

2.9
Qgd栅漏电荷密度
7.4
Ciss输入电容
1022
pF
Coss输出电容
47
Crss反向传输电容
39
td(on)开启延迟时间
8.5
ns
tr开启上升时间

19.9


td(off)关断延迟时间
44
tf
开启下降时间
12.2


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