大电流MOS管200N06 PDFN5X6-8L贴片NMOSFET国产中低压场效应管200N06
大电流MOS管200N06的主要参数：
VDS=65V
ID=200A
RDS(ON)＜1.3mΩ@VGS=10V(Type：1mΩ)
大电流MOS管200N06的应用：
电池保护
UPS
大电流MOS管200N06的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 65 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 200 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | 158 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 1340 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 580 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 47 | A |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 231 | W |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 0.65 | ℃/W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 55 |
大电流MOS管200N06的极限值：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 65 | 72 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID20A | 1 | 1.3 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 2.9 | 4 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=60V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | μA | ||
零栅压漏极电流 VDS=60V,VGS=0V,TJ=100℃ | 100 | ||||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 102 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 25 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 15.8 | |||
| Ciss | 输入电容 | 7312 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 2239 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 53 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 24 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 71 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 129 | |||
| tf | 开启下降时间 | 92 |
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