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贴片场效应管 280N04 TO-263
贴片场效应管 280N04 TO-263
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:280N04
产品封装:TO-263
产品标题:贴片场效应管 280N04 TO-263电源用MOSFET 40V/280A大电流常用MOS
咨询热线:0769-89027776

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贴片场效应管 280N04 TO-263电源用MOSFET 40V/280A大电流常用MOS



贴片场效应管 280N04的应用领域:

  • BMS

  • BLDS

  • UPS



贴片场效应管 280N04的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压40V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TC=25℃)280A
漏极电流-连续(TC=100℃)200
IDM漏极电流-脉冲1120
EAS单脉冲雪崩能量818mJ
IAS雪崩电流70A
PD总耗散功率 TC=25℃230W
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150
RθJC结到管壳的热阻1.5℃/W
RθJA结到环境的热阻60



贴片场效应管 280N04的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压4048
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=30A


1.21.5
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=20A


1.72.5
VGS(th)
栅极开启电压11.82.5V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=40V,VGS=0V



1uA
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
127
nC
Qgs栅源电荷密度
35
Qgd栅漏电荷密度
26
Ciss输入电容
8300
pF
Coss输出电容
1510
Crss反向传输电容
130
td(on)开启延迟时间
22.5
ns
tr开启上升时间
6.7
td(off)关断延迟时间
80.3
tf
开启下降时间
26.9


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