20V N沟道场效应晶体管 GM3A01N SOT-23 550mW总耗散功率
GM3A01N的极限值：
| 特性参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | 20 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±8 | |
| 漏极电流-连续 | ID | 3.2 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 10 | |
| 总耗散功率 | PD | 550 | mW |
| 结温 | TJ | 150 | ℃ |
| 存储温度 | Tstg | -55~+150 |
GM3A01N的电特性（如无特殊说明，温度为25℃）：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 20 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(TH) | 0.4 | 1.2 | ||
| 内附二极管正向压降 | VSD | 1.15 | |||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | 1 | uA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
| 静态漏源导通电阻(ID=3.6A,VGS=4.5V) | RDS(ON) | 50 | 85 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻(ID=3.1A,VGS=2.5V) | 65 | 115 | |||
| 输入电容 | Ciss | 450 | pF | ||
| 共源输出电容 | Coss | 70 | |||
| 开启时间 | t(on) | 15 | ns | ||
| 关断时间 | t(off) | 60 |
扫二维码进入手机网站