电源管理MOS管 140N15 PDFN5X6-8L 150V中低压MOS 小封装MOSFET
电源管理MOS管 140N15的主要参数：
VDS=150V
ID=140A
RDS(ON)＜9mΩ@VGS=10V(Type：7.4mΩ)
电源管理MOS管 140N15的应用领域：
DC/DC 转换
电源管理转换
电源管理MOS管 140N15的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：150V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID (TC=25℃)：140A
漏极电流-脉冲 IDM：520A
单脉冲雪崩能量 EAS：506mJ
雪崩电流 IAS：65A
总耗散功率 PD (TC=25℃)：179W
结到环境的热阻 RθJA：25℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：0.75℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
电源管理MOS管 140N15的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 150 | 172 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A | 7.4 | 9 | mΩ | |
| VGS | 栅极开启电压 | 2 | 3.2 | 4.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 30 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 7.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 6.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2181 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 363 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 7.9 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 12.5 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 24 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 30 | |||
| tf | 开启下降时间 | 26 |
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