电源用低压NMOS管 30N03 SOT89-3 低内阻MOSFET MOS管型号大全

电源用低压NMOS管 30N03的主要参数：

• V_DS=30V

• I_D=30A

• R_DS(ON)＜12mΩ@V_GS=10V(Type：8.5mΩ)

电源用低压NMOS管 30N03的主要应用领域：

• 电池保护

• 负载开关

• 不间断电源
  

电源用低压NMOS管 30N03的极限参数：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：30V

• 栅极-源极电压 V_GS：±20V

• 漏极电流-连续 I_D (T_C=25℃)：30A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：90A

• 总耗散功率 P_D (T_C=25℃)：37.5W

• 结到环境的热阻 R_θJA：125℃/W

• 结到管壳的热阻 R_θJC：4℃/W

• 存储温度 T_STG：-55~175℃

• 工作结温 T_J：-55~175℃

电源用低压NMOS管 30N03的电特性：

(如无特殊说明，T_J=25℃)