宇芯电子可控硅一站式解决方案提供商专注单向可控硅,双向可控硅,168彩票下载星空娱乐 ,高压可控硅,达林顿芯片等半导体器件的应用服务。
当前位置: 首页 » 产品中心 » app星空游戏 » MOS管 » 中低压MOS管 » -55V双PMOS管 4V05 SOP-8

产品分类

Product Categories
-55V双PMOS管 4V05 SOP-8
-55V双PMOS管 4V05 SOP-8
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:4V05
产品封装:SOP-8
产品标题:-55V双PMOS管 4V05 SOP-8 低压通用MOSFET MOS管选型 -55V/-4.8A
咨询热线:0769-89027776

产品详情


-55V双PMOS管 4V05 SOP-8 低压通用MOSFET MOS管选型 -55V/-4.8A



-55V双PMOS管 4V05的引脚图:

image.png



-55V双PMOS管 4V05的应用领域:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



-55V双PMOS管 4V05的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:-55V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID (TA=25℃):-4.8A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:-16A

  • 总耗散功率 PD (TA=25℃):1W

  • 结到环境的热阻 RθJA:85℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:80℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



-55V双PMOS管 4V05的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-50-55
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-1.5A


108125
静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-1A


125155
VGS(th)
栅极开启电压-1-1.6-2.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
4.6
nC
Qgs栅源电荷密度

1.4


Qgd栅漏电荷密度
1.62
Ciss输入电容
531
pF
Coss输出电容
59
Crss反向传输电容
38
td(on)开启延迟时间
17.4
ns
tr开启上升时间

5.4


td(off)关断延迟时间
37.2
tf
开启下降时间
2.4


产品推荐

Product recommendations
*本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*
技术支持:东莞网站建设
Baidu
map