低压P+P沟道MOS管 30V02 PDFN3X3-8L 小内阻双PMOS 手机快充MOSFET
低压P+P沟道MOS管 30V02的应用领域：
锂电池保护板
手机快充
低压P+P沟道MOS管 30V02的引脚图：
低压P+P沟道MOS管 30V02的极限值：
(如无特殊说明，TA=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-20V
栅极-源极电压 VGS：±12V
漏极电流-连续 ID (TA=25℃)：-30A
漏极电流-脉冲 IDM：-90A
总耗散功率 PD (TA=25℃)：1.5W
结到环境的热阻 RθJA：85℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：12℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
低压P+P沟道MOS管 30V02的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -20 | -23 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 12.5 | 16 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-2.5V,ID=-10A | 16.5 | 28 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -0.5 | -0.6 | -1.2 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 15.3 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.2 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 4.4 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2000 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 242 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 231 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 10 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 31 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 28 | |||
| tf | 开启下降时间 | 8 |
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