中低压插件MOS管18P20 TO-220 铁封国产MOS 电源应用MOSFET管
中低压插件MOS管18P20的主要参数：
VDS=-200V
ID=-18A
RDS(ON)＜320mΩ@VGS=-10V(Type：260mΩ)
中低压插件MOS管18P20的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -200 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | -18 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | -12 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -65 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 1200 | mJ |
| IAR | 重复雪崩电流 | -15 | A |
| PD | 总耗散功率(TC=25℃) | 325 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
中低压插件MOS管18P20的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -200 | -254 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-5.5A | 260 | 320 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -2 | -3.5 | -5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 88 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 14.1 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 54 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2400 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 7400 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 182 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 28 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 86 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 78 | |||
| tf | 开启下降时间 | 76 |
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