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150VPMOS管4P15 PDFN3X3-8L
150VPMOS管4P15 PDFN3X3-8L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:4P15
产品封装:PDFN3X3-8L
产品标题:150VPMOS管4P15 PDFN3X3-8L 宇芯微 国产场效应管 4P15 超小封装MOS
咨询热线:0769-89027776

产品详情


150VPMOS管4P15 PDFN3X3-8L 宇芯微 国产场效应管 4P15 超小封装MOS



150VPMOS管4P15的主要参数:

  • VDS=-150V

  • ID=-4A

  • RDS(ON)<780mΩ@VGS=-10V(Type:620mΩ)



150VPMOS管4P15的应用:

  • 无刷马达

  • UPS 不间断电源



150VPMOS管4P15的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:-150V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID (TA=25℃):-4A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:-12A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:56.5mJ

  • 雪崩电流 IAS:-5A

  • 总耗散功率 PD (TA=25℃):2W

  • 结到环境的热阻 RθJA:62℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:40℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



150VPMOS管4P15的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-150-168
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-1A


620780
静态漏源导通电阻

VGS=-6V,ID=-0.5A


700980
VGS(th)
栅极开启电压-2-3-4V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
10.8
nC
Qgs栅源电荷密度

3.1


Qgd栅漏电荷密度
2.2
Ciss输入电容
706
pF
Coss输出电容
23
Crss反向传输电容
13
td(on)开启延迟时间
21
ns
tr开启上升时间

16


td(off)关断延迟时间
40
tf
开启下降时间
18


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