宇芯微 电池保护MOSFET 25P06 SOP-8 贴片PMOS管 -60V低压MOSFET

电池保护MOSFET 25P06的主要参数：

• V_DS=-60V

• I_D=-25A

• R_DS(ON)＜13mΩ@V_GS=-10V(Type：10mΩ)

电池保护MOSFET 25P06的引脚图：

电池保护MOSFET 25P06的极限值：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：-60V

• 栅极-源极电压 V_GS：±20V

• 漏极电流-连续 I_D：-25A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：-75A

• 单脉冲雪崩能量 E_AS：450mJ

• 总耗散功率 P_D：110W

• 结到环境的热阻 R_θJA：1.1℃/W

• 结到管壳的热阻 R_θJC：85℃/W

• 存储温度 T_STG：-55~150℃

• 工作结温 T_J：-55~150℃

电池保护MOSFET 25P06的电特性：

(如无特殊说明，T_C=25℃)